11 октября 2022 года, в день 85-летнего юбилея выдающегося ученого, основоположника нового для казанской научной школы физиков направления — ионной имплантации, в ФИЦ «Казанский научный центр РАН» состоялась открытие важного научного форума — VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО–ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ».
Открывая конференцию, посвященную памяти и 85-летию выдающегося казанского физика, директор ФИЦ КазНЦ РАН Алексей Алексеевич Калачев, поприветствовав всех собравшихся в конференц-зале Казанского научного центра, рассказал о наиболее значимых исследованиях И.Б. Хайбуллина, в числе которых разработка метода лазерного отжига как способа восстановления кристаллической структуры тонких полупроводниковых слоёв, разупорядоченных при ионной имплантации. Данная работа в 1988 году была отмечена Государственной премией СССР.
Многие исследования, начатые Ильдусом Бариевичем Хайбуллиным, получили дальнейшее развитие. Так, цикл работ «Нанотехнология облагораживания ювелирно-поделочных камней» в 2011 году был удостоен Государственная премия Республики Татарстан.
Руководитель научного направления «Физика» ФИЦ КазНЦ РАН, академик Кев Минуллинович Салихов и другие выступающие говорили о научно-организационной деятельности И.Б. Хайбуллина, подчеркивая его энергию и целеустремленность, неизменную доброжелательность и интеллигентность, широту как научных, так и общечеловеческих интересов. Замечательный человек, большой ученый и блестящий организатор науки, Ильдус Бариевич стоял у истоков создания Академии наук Республики Татарстан в 1991 году, в числе других вопросов занимался оформлением новой академической структуры в республике на законодательном уровне, а с 1992 по 2006 гг. занимал должность главного ученого секретаря АН РТ.
Заведующий Лабораторией радиационной физики КФТИ им. Е.К. Завойского, д.ф.-м.н. Файзрахманов Ильдар Абдулкабирович поделился своими личными воспоминаниями о И. Б. Хайбуллине, охватив все этапы становления выдающегося ученого: выпускника Казанского авиационного института, аспиранта знаменитого Курчатовского института, научного сотрудника, заведующего лабораторий и заместителя директора по научной работе Казанского физико-технического института, основоположника нового для казанской научной школы физиков направления — ионной имплантации, доктора физико-математических наук, профессора, члена-корреспондента РАН и академика Академии наук Республики Татарстан, почётного члена многих национальных академий.
А сегодня уже талантливые ученики Ильдуса Бариевича Хайбуллина являются известными в мире учеными, обладателями высоких научных званий и наград, лауреатами отечественных и зарубежных премий.
После вступительной части форума, посвященной научной и научно-организационной деятельности Ильдуса Бариевича Хайбуллина, VIII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО–ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ» начала свою работу. Пленарный доклад на тему «Общие и специфические закономерности ионной имплантации в полупроводники на примере Ga2O3» на секции «Фундаментальные проблемы ионной имплантации» сделал доктор физико-математических наук, профессор Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского Давид Исаакович Тетельбаум – сопредседатель конференции.
Пресс-центр ФИЦ КазНЦ РАН